英特尔(INTC)股价涨3%，18A-P制程节点迎来里程碑_新闻

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英特尔(INTC)股价涨3%，18A-P制程节点迎来里程碑

2026-06-17 23:56:18

英特尔股价因18A-P工艺节点里程碑上涨3%

关键亮点

英特尔股价在18A-P风险生产里程碑后上涨3.05%。

股价达到120.61美元，因英特尔代工确认了技术路线图进展。

18A-P工艺提供增强的效率和性能能力。

英特尔展示了涵盖CFET架构、GaN集成和先进互连的研究。

代工技术进展为近期市场波动后的英特尔提供了支撑。

18A-P工艺节点达到关键开发阶段

在会议期间，英特尔代工宣布其18A-P工艺已成功进入风险生产阶段，符合此前向行业合作伙伴传达的时间表。这一里程碑代表了更广泛的英特尔18A工艺生态中首个以性能为重点的增强，强化了英特尔执行其长期代工战略的承诺。

这家半导体巨头将Intel 18A-P定位为其Intel 18A平台的设计兼容演进。这种兼容性使芯片设计人员能够利用现有的知识产权库和既定的设计方法，从而显著简化客户采用增强制造节点的过渡过程。

据英特尔披露，18A-P节点在保持相同功耗的同时实现了9%的性能提升；或者在同等性能水平下，功耗降低18%。该工艺节点还包含改进的热管理特性和扩展的设计灵活性选项。

技术创新推动效率提升

英特尔推出了Power Boost，一种在Intel 18A-P平台内可用的双接触晶体管架构。这一创新降低了电阻，增强了驱动电流能力，并在不增加电容的情况下实现更高的工作频率，为芯片架构师提供了优化半导体性能的额外机制。

该芯片制造商还披露了热阻改进幅度在20%至40%之间，并将通孔电阻改善10%至30%归因于改进的材料和几何配置。这些增强专门针对跨多个芯片层的热耗散、电源分配完整性和信号传播。

此外，英特尔推出了扩展的低功耗和高性能晶体管变体，实现了第五个逻辑电压阈值配对（位于超低电压阈值与低电压阈值选项之间）。这种扩展使设计人员在优化运行速度、功耗和整体效率之间的权衡时拥有更精细的控制。

会议揭示更广泛的技术愿景

英特尔利用VLSI平台展示了18A-P如何建立在Intel 18A完成的基础工作之上。该公司在去年成功实现了全环绕栅极晶体管架构和背面供电网络的商业化，这些技术基础现在支撑着后续的工艺改进和未来的扩展计划。

该公司展示的研究表明，布线芯片面积减少了11%，动态电压降下降了十倍。英特尔表示这些改进可以实现高达6%的工作频率提升，与等效的正面供电实现相比，还能使动态功耗降低超过15%。

英特尔还展示了探索性研究，包括互补场效应晶体管（CFET）结构、氮化镓（GaN）材料集成和基于钌的互连技术。CFET开发工作成功地在45纳米栅极间距下堆叠了NMOS和PMOS晶体管；对GaN和钌的研究则侧重于电源管理能力、互连密度缩放以及下一代芯片效率优化。

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