市场尚未开盘,但投资者已纷纷提前布局IBM(纽交所代码:IBM)的股票,因为这家科技巨头公布了一项被称为首款突破1纳米技术壁垒的芯片技术。这一消息推动IBM股价在盘前交易中上涨近4%,对于今年以来已累计下跌约11%的股票而言,这无疑是一剂必要的强心针。同时,这也标志着IBM在半导体竞赛中取得重大胜利,因为随着传统缩小晶体管的方法遭遇所谓的技术瓶颈,芯片竞赛正转向摩尔定律的赛道。
据IBM称,其新芯片在晶体管密度上比2021年推出的2纳米原型芯片翻了一番,在指甲盖大小的0.7纳米节点(即7埃)上集成了约1000亿个晶体管。IBM还预计,这款将于2026年面世的芯片在计算性能上比早期设计提升高达50%,在能效上提升高达70%。
为什么IBM的亚1纳米芯片意义重大?
为了消除误解,IBM的0.7纳米节点并不指芯片的物理尺寸。事实上,节点名称早在此前数十年就已不再对应实际测量值。IBM所说的意思是,其新芯片能够实现理论上该尺度芯片所能达到的性能。
IBM推出了“纳米堆叠”晶体管布局,作为突破亚1纳米壁垒的跳板。这种设计并非将晶体管排列在单一水平面上,而是将它们垂直堆叠在两个键合硅晶圆上,并采用交错排列的方式。正如《麻省理工科技评论》所描述的,每个晶体管使用三片硅片,厚度约为15个原子,彼此之间间隔9纳米。
伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校的材料科学教授曹庆在评价IBM如何在完整生产级晶圆上展示堆叠晶体管时,使用了“变革性”一词。曹庆还指出,在IBM尝试之前,英特尔、三星、台积电以及比利时研究机构imec都没有采用过这种交错排列方式。值得注意的是,与上层直接位于下层正上方的堆叠结构相比,这种交错排列更容易布线。
IBM何时开始销售其新芯片?
IBM将其工艺技术授权给代工合作伙伴,并不直接制造或销售商业芯片。该公司告诉记者,生产可能在未来五年内启动,而市场全面普及则还需再等五年。“在未来十年内,这将演变为我们发明并帮助行业转型的另一个主流技术,”布在新闻发布会上表示。
IBM的公告中并未提及新亚1纳米工艺的制造合作伙伴,尽管日本的Rapidus是其当前在2纳米技术规模化方面的合作伙伴。据IBM半导体研发部门副总裁布惠明称,许多行业参与者仍在使用更旧的2纳米纳米片架构。台积电、三星和英特尔目前及未来的芯片代次均采用基于纳米片的设计。
AI需求迫使芯片密度最大化
IBM的这项公告被定位为合乎逻辑的技术进步,因为AI工作负载正将现有芯片架构推向极限。根据IBM的研究博客,采用7埃工艺构建的AI加速器,其性能可达到当前加速器的约七倍。
IBM还报告称,采用纳米堆叠设计后,SRAM缩放性能提升了40%,这一结果在VLSI 2026研讨会上公布。SRAM是AI推理所依赖的快速片上存储器,其缩放性能在近几代芯片中已陷入停滞。IBM Research主任杰伊·甘贝塔表示,3纳米到2纳米代际之间,SRAM密度仅实现了个位数的百分比提升。
分析机构TechInsights的副主席丹·哈奇森告诉《麻省理工科技评论》,纳米堆叠方法“为持续晶体管缩放增设了十到十五年的路线图”。
挑战依然存在。曹庆指出,堆叠层会放大制造缺陷:如果其中一层失效,整个芯片就会报废。热管理是另一个制约因素,因为制造上层时不能损坏下层连接。IBM对其低温处理方法保密。
投资者将密切关注IBM的下一次财报电话会议,以寻找任何关于授权谈判的迹象。

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